Патенты — Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 137, получены - 1986-2011 , коллектив авторов - 237 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- B32 – Слоистые изделия или материалы
- B82 – Нанотехнология
- C01 – Неорганическая химия
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C09 – Красители; краски; полировальные составы; природные смолы; клеящие вещества; вещества или составы, не отнесенные к другим рубрикам; использование материалов, не отнесенных к другим рубрикам
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- C30 – Выращивание кристаллов
- F01 – Машины или двигатели вообще
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F24 – Нагрев; вентиляция; печи и плиты
- F41 – Оружие
- F42 – Боеприпасы; взрывные работы
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H04 – Техника электрической связи
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Устройство для определения положения светового пятна
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Устройство включает фотоприемник - мультискан, содержащий набор встречно включенных р-n переходов, делительную и общую шины, оптическую систему для формирования на поверхности фотоприемника -...
- Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты)
Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под...
- Импульсный имитатор солнечного излучения
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и...
- Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей
Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной...
- Установка для ориентации фотоэлектрической батареи на солнце
Изобретение относится к области солнечной энергетики, и в частности к фотоэнергетическим установкам, и может найти применение в солнечных электростанциях для преобразования солнечной энергии в электрическую, а также может быть использовано в качестве...
- Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений al-ga-in-as-p и устройство для его осуществления
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей. Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P...
- Способ определения координат заряженных частиц
Изобретение относится к способам, осуществляющим определение пространственного положения и энергии релятивистских частиц, потоков ионизирующего излучения и светового излучения. Способ определения координат заряженных частиц включает размещение на пути...
- Солнечная энергетическая установка
Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение как в солнечных электростанциях, так и в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Солнечная фотоэнергетическая установка включает солнечную батарею (1),...
- Имитатор солнечного излучения
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к устройствам, позволяющим имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света. Имитатор содержит расположенные последовательно на одной оптической оси светодиод,...
- Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе германия
При изготовлении фотопреобразователя на подложке германия n-типа выращивают пассивирующий слой GaAs методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии при быстром охлаждении раствора-расплава. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую...