МПК C30 – Выращивание кристаллов
Содержание категории:
Код | Наименование |
---|---|
C30B | Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей |
|
Патенты в категории:
- Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур
Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов. С целью упрощения и расширения пределов управления толщиной выращиваемых эпитаксиальных слоев в кассете,...
- Устройство для выращивания кристаллов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из расплава при воздействии ультразвуком. Устройство состоит из графитового контейнера-подставки с коническим отверстием в основании, в которое вставлен металлический волновод. В подставке...
- Способ получения блеско-структурообразующей добавки для электролита сернокислого меднения
Сущность изобретения: блеско-структуро-образующая добавка для электролита водная суспензия-сернокислотная соль сероводородной кислоты. Реагент 3: неионогенное поверхостно-активное вещество ф-лы R-X(CH2CH2O)mH , где R- CnH2n+1 , n=10-20; X=0, NH, COO-,...
- Способ выращивания монокристаллов бората галлия gabo3
Использование: управляемая раствор-расплавная кристаллизация при получении GaBO3 для физического эксперимента и оптоэлектроники. Сущность изобретения: раствор-расплав, содержащий Ga2O3, B2O3, PbO - PbF2 , перегревают до 950-1000°С с перемешиванием,...
- Способ выращивания монокристаллов германия
Использование: металлургия полупроводников. Сущность изобретения: исходный германий расплавляют, добавляют (3-5)10-4 мас.% неодима и вытягивают монокристалл на затравку. Увеличивают время жизни неосновных носителей заряда и снижают отношение времени...
- Способ термообработки электрооптических кристаллов дидейтерофосфата калия
Использование: в электронной технике при применении кристаллов ДКДР в качестве элементов пространственного модулятора света, в лазерном приборостроении. Сущность изобретения: кристаллы ДКДР нагревают поэтапно при 60 3, 80 + 3, 110 + 3, 130 + 3, и 150 +...
- Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы,...
- Шихта для получения монокристаллов кубического нитрида бора
Изобретение может быть использовано в инструментальной и полупроводниковой промышленности. Цель изобретения состоит в повышении прочности монокристаллов и увеличении выхода фракции 315/250. Шихта содержит графитоподобный нитрид бора и гидрид лития, а в...
- Способ получения тетратитаната бария bati4o9
Использование: для получения высокодобротной СВЧ-керамики для элементов в микроволновых интегральных схемах и для подложек, на которых выполняются элементы схемы. Сущность изобретения: нитевидные кристаллы диоксида титана предварительно обрабатывают...
- Производные сульфокислоты
Использование: в качестве ПАВ для улучшенной регенерации масла. Сущность изобретения: продукт- производные сульфокислоты ф-лы, где R-C4-C6-алкил, m1 и m2 - 0:1, А-этиленокси или пропиленоксигруппа, р-0,5, 1,0, 1,4, 1,5 или 1,8, У-этил или пропил,...