МПК C30 – Выращивание кристаллов
Содержание категории:
Код | Наименование |
---|---|
C30B | Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей |
|
Патенты в категории:
- Высокотемпературный антифрикционный материал покрытия
Изобретение относится к порошковой металлургии и может быть использовано при создании износостойких покрытий. Сущность изобретения: высокотемпературный антифрикционный материал покрытия имеет следующий состав, мас.%: хром 9,8 - 11,5; алюминий 3,8 -...
- Способ окрашивания корунда
Использование: обработка драгоценных камней для ювелирной промышленности. Способ включает механическую полировку корунда, нанесение на него пленки металла, способного к шпинелеобразованию, и термообработку при 1000 - 1300°С в атмосфере кислорода в...
- Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: устройство включает камеру роста. В камере роста размещены система экранов и нагреватель в виде нижних и верхних полувитков. На выходе из камеры роста нагреватель имеет...
- Устройство для выращивания кристаллов из расплава
Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов методом направленной кристаллизации в тигле. Целью изобретения является повышение качества кристаллов. Цель достигается за счет улучшения условий управления тепловыми процессами в зоне...
- Способ получения кристаллического полупроводникового материала и устройство для его осуществления
Изобретение относится к металлургии цветных металлов и предназначено для получения особо чистых кристаллов кремния. Выращивание ведут из вращающегося расплава при одновременном воздействии на него постоянного магнитного поля. Постоянное магнитное поле...
- Устройство для получения изделий и покрытий из нитрида бора
Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению. Устройство содержит реактор с графитовой подложкой внутри, обогреваемый индуктор, снабженный радиационным экраном и газовводом. Подложка размещена внутри радиационного экрана,...
- Сплав, стойкий к окислению (варианты)
Изобретение относится к металлургии, в частности к стойким к окислению сплавам системы никель-кобальт-железо. Сплав согласно изобретению содержит, мас.%: никель 25-50; кобальт 5-50; алюминий 5-10; ниобий 0,5-6,0; сумма марганца, кремния и меди...
- Устройство для получения профилированных изделий бестигельной направленной кристаллизацией
Изобретение относится к получению деталей турбинных двигателей методом направленной кристаллизации. Устройство содержит нагреватель и затравкодержатель, соединенный со средством вертикального вытягивания, вращения вокруг горизонтальной оси и...
- Способ получения монокристаллов
Использование: в области электронной промышленности для получения высокотемпературных сверхпроводников-ВТСП. Способ включает выращивание монокристаллов YBa2Cu3O7-б (К) из раствора-расплава состава (мас. % ) : BaCu2O2 60 - 95 и CuO 5 10. Температура...
- Способ получения люминесцентных пленок соединений типа a2 b6
Использование: получение люминесцентных пленок A2B6 для экранов дисплеев, телевизоров, светопанелей. Сущность изобретения: на подложки любых форм и размеров поочередно напускают пары металлоорганического соединения 2-й группы и гидрид неметалла 6-й...