МПК C30 – Выращивание кристаллов
Содержание категории:
| Код | Наименование |
|---|---|
| C30B | Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей |
|
| |
Патенты в категории:
- Способ получения оксаперфторалкансульфокислот и их солей
Изобретение относится к способу получения оксаперфторалкансульфокислот и их солей общей формулыC2F5 O[CF2CF(CF3)O]nCF2 CF2SO3R (1),где n = 0, 1 и R = Н, катион щелочного металла или аммония, включающему взаимодействие бромдифторацетилфторида с окисью...
- Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава...
- Летательный аппарат
Изобретение относится к административным сверхзвуковым самолетам.Летательный аппарат содержит фюзеляж, хвостовая часть которого снабжена двумя плоскими площадками, размещенными последовательно друг за другом перед воздухозаборниками силовой установки и...
- Летательный аппарат
Изобретение относится к административным сверхзвуковым самолетам.Летательный аппарат содержит крыло, сопряженное с фюзеляжем, носовая и центральная части которого выполнены с округлой формой поперечного сечения, а хвостовая часть снабжена силовой...
- Летательный аппарат
Изобретение относится к административным сверхзвуковым самолетам. Летательный аппарат содержит крыло, сопряженное с фюзеляжем, носовая и центральная части которого выполнены с округлой формой поперечного сечения, а хвостовая часть снабжена силовой...
- Способ получения поверхностно-активных фторсодержащих -кетосульфокислот
Изобретение относится к способу получения фторсодержащих поверхностно-активных веществ общей формулы RfC(=O)CH 2SO2OH, где Rf принимает значения: CF3O(CF2CF2O)mCF 2 при m = 1-3; или C3F7O[CF(CF 3)CF2O]nCF(CF3) при n = 0, 1, 2, путем обработки...
- Метод получения фуллеренола с84 из отходов производства сульфоаддукта нанокластеров углерода
Изобретение относится к новому способу получения фуллеренола С84, при котором сухой углеродный шлам (отходы производства сульфоаддукта нанокластеров углерода) загружают в экстрактор типа аппарата Сокслета и экстрагируют фуллеренол в виде водного...
- Гиперзвуковой летательный аппарат
Изобретение относится к авиационной технике. Гиперзвуковой летательный аппарат содержит фюзеляж, гиперзвуковой прямоточный воздушно-реактивный двигатель с соплом, расположенным под нижней панелью хвостовой части фюзеляжа, крыло, киль и воздухозаборник,...
- Способ выращивания монокристаллов методом бестигельной зонной плавки и устройство для его осуществления
Изобретение относится к металлургии, а именно - к выращиванию монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с электронно-лучевым нагревом. Способ включает затравление кристалла из расплавленной зоны, выдержку в течение заданного времени и...
- Сплав для постоянных магнитов
Изобретение относится к области металлургии, в частности к сплавам для постоянных магнитов. Сплав для постоянных магнитов содержит, масс.%: кобальт 34,5-35,5, никель 14,0-14,5, медь 3,8-4,2, алюминий 7,0-7,5, титан 5,0-5,5, сера 0,15-0,25, олово...