МПК C30B – Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
Содержание категории:
| Код | Наименование |
|---|---|
| C30B 1/00 | Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния |
|
| |
| C30B 11/00 | Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера |
| C30B 13/00 | Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой |
| C30B 15/00 | Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского |
| C30B 17/00 | Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса |
| C30B 19/00 | Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев |
| C30B 21/00 | Однонаправленное отвердевание эвтектик |
| C30B 23/00 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала |
| C30B 25/00 | Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы |
| C30B 27/00 | Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью |
| C30B 28/00 | Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой |
| C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой |
| C30B 3/00 | Однонаправленное разделение эвтектик на составные части |
| C30B 30/00 | Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий |
| C30B 31/00 | Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей |
| C30B 33/00 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой |
| C30B 35/00 | Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой |
| C30B 5/00 | Выращивание монокристаллов из гелей |
| C30B 7/00 | Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов |
| C30B 9/00 | Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей |
Патенты в категории:
- Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4,...
- Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов
Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в...
- Способ получения слоев карбида кремния
Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают...
- Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием
Изобретение относится к технологиям повышения износостойких, прочностных и антифрикционных свойств металлорежущего инструмента, внешних поверхностей обшивки авиационных и космических летательных аппаратов, оптических приборов и нанотехнологиям....
- Способ обработки цилиндрических поверхностей сапфировых деталей, сапфировая плунжерная пара и насос-дозатор на ее основе
Группа изобретений относится к устройствам, в частности плунжерным парам и насосам-дозаторам на их основе, а также к изготовлению устройств и их частей, в частности к способу обработки цилиндрических поверхностей деталей из кристалла на основе...
- Способ и устройство для нейтронного легирования вещества
Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Способ нейтронного легирования...
- Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава...
- Способ выращивания монокристаллов методом бестигельной зонной плавки и устройство для его осуществления
Изобретение относится к металлургии, а именно - к выращиванию монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с электронно-лучевым нагревом. Способ включает затравление кристалла из расплавленной зоны, выдержку в течение заданного времени и...
- Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка
Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники. Способ включает подготовку шихты на основе селенида цинка, помещение ее...
- Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты)
Изобретение относится к технологии получения высокочистых полупроводниковых материалов для электронной, электротехнической промышленности и солнечной энергетики. Один из вариантов получения кремниевых филаментов в виде прутков и/или подложек...