МПК H01L – Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Содержание категории:
Код | Наименование |
---|---|
H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей |
| |
H01L 23/00 | Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле |
H01L 25/00 | Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле |
H01L 27/00 | Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее |
H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |
H01L 31/00 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов |
H01L 33/00 | Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов |
H01L 35/00 | Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов |
H01L 37/00 | Термоэлектрические приборы без перехода между различными материалами; термомагнитные приборы, например приборы, в которых используется эффект Нернста-Эттингсхаузена; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления таких приборов или их частей |
H01L 39/00 | Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей |
H01L 41/00 | Пьезоэлектрические приборы вообще; электрострикционные приборы вообще; магнитострикционные приборы вообще; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов и их частей; конструктивные элементы таких приборов |
H01L 43/00 | Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки этих приборов или их частей |
H01L 45/00 | Приборы на твердом теле, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей |
H01L 47/00 | Приборы с отрицательным объемным сопротивлением, например приборы с эффектом Ганна; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки таких приборов или их частей |
H01L 49/00 | Приборы на твердом теле, не предусмотренные в группах 27/00 |
H01L 51/00 | Приборы на твердом теле с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства, специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей |
Патенты в категории:
- Способ контроля качества светодиодной структуры
Изобретение относится к способу выявления наличия дефектов в светодиодной структуре. Способ контроля качества светодиодной структуры заключается в регистрации излучения светодиодной структуры, обработке излучения для получения характеристик...
- Способ и устройство для нейтронного легирования вещества
Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Способ нейтронного легирования...
- Биполярный транзистор свч
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор СВЧ на основе гетероэпитаксиальных структур включает последовательно размещенные на подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости буферный слой из...
- Мощный транзистор свч с многослойной эпитаксиальной структурой
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния,...
- Мощный транзистор свч
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза,...
- Способ получения структурированной поверхности полупроводников
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении наноструктур. Способ получения структурированной поверхности полупроводников, заключающийся в том, что на поверхности полупроводниковой пластины...
- Способ изготовления полупроводникового прибора
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора...
- Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую...
- Керамический материал
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники, активных элементов криоэлектронных схем, работающих в условиях космического вакуума и холода и использующих новые проводящие керамические...
- Полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением (варианты)
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом...