МПК H01S – Устройства со стимулированным излучением
Содержание категории:
Код | Наименование |
---|---|
H01S 1/00 | Мазеры, т.е. квантовые устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных колебаний с длиной волны, превышающей длину волны колебаний в инфракрасной области спектра |
| |
H01S 3/00 | Лазеры, т.е. устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных волн с длиной волны большей, чем длина волны в ультрафиолетовом диапазоне |
H01S 4/00 | Устройства, использующие стимулированное излучение волновой энергии в любых формах, кроме форм, отнесенных к группам, 1/00, 3/00 или 5/00, например фононовые мазеры, гамма-мазеры |
H01S 5/00 | Полупроводниковые лазеры |
Патенты в категории:
- Соленоид цезиевой атомно-лучевой трубки
Изобретение относится к технике квантовых стандартов частоты на основе цезиевых атомно-лучевых трубок. Предлагаемый соленоид цезиевой атомно-лучевой трубки содержит две идентичные катушки, расположенные внутри системы магнитных экранов по обеим...
- Оптоэлектронный усилитель
Устройство относится к области оптоэлектроники. В оптоэлектронном усилителе оптический выход второго повернутого отражательного зеркала через первое повернутое отражательное зеркало, через первую корректирующую линзу, через первый оптоэлектронный...
- Способ изменения траектории движения опасного космического тела (варианты)
Изобретения относятся к области обеспечения безопасности Земли от столкновения с опасным космическим телом (ОКТ). Способ заключается в том, что после обнаружения и определения характеристик ОКТ выводят на траекторию встречи с ним космический аппарат...
- Активная среда лазера
Изобретение относится к области квантовой электроники, а более конкретно - к активным лазерным средам. Активная лазерная среда включает наночастицы металла и люминофор, при этом в качестве активных лазерных центров используют наночастицы металлов,...
- Способ создания светоизлучающего элемента
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100)....
- Способ создания светоизлучающего элемента
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100)....
- Способ создания светоизлучающего элемента
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100)....
- Способ создания светоизлучающего элемента
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100)....
- Способ создания светоизлучающего элемента
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100)....
- Способ создания светоизлучающего элемента
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100)....