Патент №2006104 - Высоковольтная интегральная схема

Применение: изобретение относится к производству и технологии высоковольтных ИС на КСДИ. Сущность изобретения: концентрация характеризуется тем, что посредством травления в активной области р-типа проводимости устранены цилиндрические и сферические профили диффузии с трех боковых ее сторон таким образом, что с этих боковых сторон область р-типа ограничена меза-канавками, заполненными планаризованным слоем имидизированного полиамида, защищаемого фоторезистором, а с четвертой боковой стороны имеет цилиндрический профиль диффузии, пассивированный диэлектриком, на котором за счет расширенной металлизации создана полевая обкладка. 3 ил.

Патент №2006104, изображение 1
Патент №2006104, изображение 2
Патент №2006104, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 29/00Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них