Патент №2006537 - Способ вытягивания кристаллов и устройство для его осуществления

Относится к выращиванию кристаллов в виде деталей газотурбинных двигателей. Тигель для рабочего расплава загружают шихтой с легирующими добавками и флюсом. Загружают шихтой с флюсом тигель для подпитывающего материала и бункер для порошкообразного подпитывающего материала. Из камер с тиглями откачивают воздух, заполняют их компрессионным газом с давлением большим, чем упругость наиболее летучего компонента шихты. Расплавляют шихту в тиглях. Уровень подпитывающего расплава устанавливают таким, при котором перепускное отверстие соединительного трубопровода перекрыто поплавковым клапаном. Вакуумируют камеру с рабочим расплавом. Визируют оптическую систему на уровень рабочего расплава в тигле. Приводят затравку в контакт с расплавом и вытягивают кристалл. Объем расплава в тиглях поддерживают автоматически. Получены однородные без газовых включений кристаллы полупроводников и оксидной керамики. 2 с. и 3 з. п. ф-лы, 3 ил.