Патент №2006538 - Способ выращивания алмазов

Предлагается способ выращивания алмазов осаждением углерода из газовой фазы на нагретую подложку. Способ состоит в том, что диссоциированную газовую смесь, содержащую углерод и водород, получают при давлении 100 - 300 мм рт. ст. и затем смесь подают в вакуумную камеру с давлением в ней 10-6-10-9 мм рт. ст, формируя узконаправленный газовый факел в направлении поверхности закрепленной подложки, предварительно отожженной в вакууме в результате использования ее в качестве нагревателя. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.

Патент №2006538, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК C30B 25/00Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
МПК C30B 29/00Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой