Патент №2006965 - Элемент памяти для долговременного оперативного запоминающего устройства

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых ИС в качестве элемента памяти. Целью изобретения является повышение степени интеграции и надежности ячейки памяти. Элемент памяти состоит из кремниевой подложки с легированным слоем 1, первого диэлектрического слоя 2, слоя 3 рекристаллизованного поликремния, третьего диэлектрического слоя 4, второго диэлектрического слоя 5, канавок 6, заполненных поликремнием, поликремниевого затворного слоя 7, истоковой 8 и стоковой 9 областей, четвертого диэлектрического слоя 10, проводящего слоя 11, контактной области 12, области 13 контактирования между стоковой областью и проводящим слоем, сильно легированной области 14. 2 ил.