Патент №2006966 - Способ изготовления мдп-элемента памяти
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления электрически непрограммируемых МДП-элементов памяти с большим числом циклов переключения. Целью изобретения является увеличение числа циклов переключения МДП-элемента памяти. Для достижения цели по способу изготовления МДП-элемента памяти, включающему выращивание на кремниевой подложке туннельно тонкого слоя термического окисла, последующее осаждение на него слоя нитрида кремния из газовой фазы в результате реакции силана и аммиака в реакторе пониженного давления и последующее нанесение проводящего электрода, осаждение слоя нитрида кремния проводят при соотношении объемных расходов силана и аммиака в диапазоне 0,2 - 0,4 и парциальном давлении паров воды в диапазоне 50 - 200 млн-1. 5 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК G11C 11/00 | Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них |