Патент №2006984 - Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для разрушающего контроля параметров полупроводниковых структур. Способ включает создание контактов к полуизолирующей подложке и к проводящему активному слою, приложение напряжения к контакту на подложке относительно контакта на активном слое, регистрацию изменения проводимости активного слоя. С целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и повышение его экспрессности, изменение проводимости активного слоя, возникающее в результате приложения напряжения к контактам, определяют по изменению проводимости всей структуры путем подачи на структуру СВЧ-излучения и измерения отраженной (поглощенной) структурой СВЧ-мощности. При этом контакт к подводящему активному слою выполняют прижимным, а для контакта к подложке используют электролит, прозрачный для СВЧ-излучения. 4 табл.