Патент №2006985 - Способ измерения и контроля параметров слоев микросхем и устройство для его осуществления

Использование: в контрольно-измерительной технике, в частности в устройствах для измерения и контроля параметров пленок и микросхем в электронике, магнитооптике, оптоэлектронике, а также в производстве полупроводниковых, пленочных и гибридных микросхем. Сущность изобретения: для измерения параметров используют явление генерации второй гармоники (ВГ) при отражении лазерного излучения от контролируемой поверхности, обладающего высокой чувствительностью к кристаллографической структуре приповерхностных слоев и физико-химическим процессам в нем. Способ предусматривает измерение зависимости отношения интенсивностей рассеянного излучения на основной частоте и частоте ВГ от угла поворота подложки и при ее перемещении с последующим сравниванием полученных данных с эталонным образцом. Это сравнение показывает степень однородности слоя. 2 с. п. и 10 з. п. ф-лы, 4 ил.

Патент №2006985, изображение 1
Патент №2006985, изображение 2
Патент №2006985, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей