Патент №2006987 - Способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах

Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля времени жизни неравновесных носителей заряда в стандартных двусторонне полированных пластинах. Сущность изобретения: способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах, основанный на облучении пластин зондирующим ИК-излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, а также импульсами возбуждающего излучения, длительность которых превышает время жизни носителей, сканируют и измеряют относительное изменение интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения (T/T)1 в оптимальных точках образца, соответствующх максимальным значениям изменения пропускания образца (Tмакс), а также для осуществления возможности раздельного измерения времен жизни неравновесных электронов и дырок, дополнительно измеряют величину относительного фотоиндуцированного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения (T/T)2 в точках образца, соответствующих ближайшим к оптимальным точкам образца интерференционным экстремумам пропускания образца (Tмакс), а величины времен жизни неравновесных электронов n и дырок p определяют расчетным путем. 4 ил.