Патент №2006996 - Способ получения кристаллических буферных слоев

Использование: при производстве приборов и устройств полупроводниковой электроники, а также криоэлектроники. Диэлектрический слой осаждают в виде аморфного материала при температуре подложки не свыше 300C, а затем осуществляют нагрев слоя до температуры, обеспечивающей фазовый переход диэлектрика в кристаллическое состояние, импульсным воздействием потоками плазмы или потоками квантов в спектральном диапазоне вакуумного ультрафиолета и мягкого рентгеновского излучения с глубиной проникновения в вещество не свыше толщины h осажденного слоя, причем длительность импульса воздействия удовлетворяет условию: h2/ , где k - коэффициент температуропроводности. Переход диэлектрика в кристаллическое состояние осуществляют совместным импульсным воздействием потоками плазмы и потоками квантов. Для того, чтобы обеспечить эффективность достижения результата в случае буферных слоев на основе цирконатов, в качестве потоков квантов используют излучение спектрального диапазона 5 - 30 нм с плотностью мощности не менее 104 Вт/см2 . 3 з. п. ф-лы.