Патент №2007783 - Способ создания наноструктур

Использование: технология микроэлектроники. Сущность изобретения: способ создания ионоструктур заключается в пропускании атомарного пучка через двумерную стоячую световую волну, создаваемую лазером. Атомарный пучок распределен на входе в световую волну на площади (/2)2 , центром которой является узловая линия. При движении в стоячей волне пучок сжимается за счет радиационной силы к узловой линии до размеров ионометров. Для получения эффекта сжатия направление движения атомов должно совпадать с направлением узловых линий световой волны с высокой степенью точности. Длину световой волны выбирают близкой к частоте радиационного перехода атома, а интенсивность световой волны выбирают близкой к частоте радиационного перехода атома. 1 ил.