Патент №2007786 - Бистабильный абсорбционный оптоэлектронный прибор
Использование: в оптоэлектронике, в системах оптической обработки информации для реализации различных логических операций. Сущность изобретения: в бистабильном абсорционном оптоэлектронном приборе на основе полупроводниковой p-i-n-гетероструктуры с омическими контактами, содержащей в i-области по крайней мере одну квантовую яму, ограниченную барьером в виде сверхрешетки, гетероструктура снабжена волноводом. Квантовые ямы размещены в нем, причем энергетические параметры зонной структуры квантовой ямы с барьером в виде сверхрешетки связаны следующим соотношением -(E1-Eo) где Eo - энергия нижнего энергетического уровня, локализованного в квантовой яме, отсчитываемая от дна квантовой ямы, эВ; E1 - энергия нижнего края минизоны (барьера в виде сверхрешетки, ограничивающего квантовую яму), отсчитываемая от дна квантовой ямы, эВ - энергетическая ширина минизоны сверхрешетки, эВ. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 31/00 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов |