Патент №2007804 - Полупроводниковый лазер

Использование: полупроводниковые источники излучения для создания систем передачи и обработки информации, записи и воспроизведения данных. Сущность изобретения: на поверхности подложки с противоположной стороны расположения гетероструктуры с контактным слоем помещены слой из AlxGa1-xAs толщиной, равной суммарной толщине эмиттеров гетероструктуры, и слой из GaAs толщиной, равной толщине контактного слоя. 1 ил.

Патент №2007804, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01S 3/00Лазеры, т.е. устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных волн с длиной волны большей, чем длина волны в ультрафиолетовом диапазоне