Патент №2008373 - Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых материалов для приборов электронной и электротехнической промышленности. Сущность изобретения: для повышения коэффициента использования нейтронов в способе нейтронно - трансмутационного легирования кремния, включающем возвратно-поступательное перемещение контейнеров со слитками кремния через зону облучения по каналу реактора и контроль усредненного по длине слитков флюенса нейтронов до набора требуемого флюенса, одновременно перемещают не менее двух контейнеров. При смене направления движения в зоне облучения должен присутствовать хотя бы один контейнер. При многократном перемещении в зоне облучения в момент смены направления присутствует только один крайний контейнер, причем процесс облучения прерывают при наборе крайним контейнером половинного флюенса от требуемого и меняют контейнеры местами, сохраняя каждому из них прежнюю ориентацию в канале. При однократном перемещении желаемого результата достигают благодаря тому, что контейнер подвергаемый облучению в данном цикле, перемещают с различными скоростями Vр - это скорость, с которой при перемещении через всю зону облучения контейнер облучается нейтронами с требуемым флюенсом; V - скорость, с которой контейнеры перемещают между зоной перегрузки и зоной облучения, причем V/Vр 2/, , где - предельно допустимый разброс концентрации трансмутационной примеси фосфора в относительных единицах. 2 з. п. ф - лы, 1 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой |
МПК C30B 31/00 | Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей |