Патент №2008739 - Источник ионов

Использование: для обработки изделий в вакуумной камере пучком большего сечения ионов или быстрых нейтральных молекул инертных и химически активных газов с целью очистки и повышения адгезии наносимых покрытий, распыления материалов, ионно-химического травления, полировки поверхности, а также с целью упрочнения и модификации поверхности имплантацией ускоренных частиц. Сущность изобретения: полый катод газоразрядной камеры источника ионов выполнен в виде набора отдельных изолированных друг от друга катодных элементов. Один из соседних катодных элементов в любой смежной паре расположен с частичным охватом другого с зазором между их взаимообращенными поверхностями. Величина зазора не превышает удвоенной минимальной ширины слоя объемного положительного заряда между катодом и плазмой, образующейся в его полости. Указанное расположение катодных элементов исключает проникновение разрядной плазмы и эмиттируемых с ее границы ионов в зазоры между катодными элементами. Следовательно, исключается распыление корпуса газоразрядной камеры и ее конструктивных элементов, расположенных между катодом и корпусом, ускоренными ионами. В результате не происходит запыления металлом изоляторов и увеличивается срок службы источника ионов. Каждый катодный элемент может быть соединен с источником разрядного напряжения через отдельный резистор. 3 з. п. ф-лы, 2 ил.