Патент №2008742 - Способ легирования полупроводников

Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов. Сущность: на поверхность полупроводниковой подложки наносят лигатуру. Полученную структуру помещают в магнитное поле и проводят облучение светом с плотностью мощности, не вызывающей плавление поверхности структуры. 4 ил.

Патент №2008742, изображение 1
Патент №2008742, изображение 2
Патент №2008742, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
Полезная информация? Поделиться:
Авторы
  • Акашкин А.С., 
  • Кабешов А.В., 
  • Рыков В.В., 
  • Рыкова Т.С.
Патентообладатель
Рыков Вениамин Васильевич
Регистрация
Дата подачи заявки:
04.03.1991
Дата публикации патента:
28.02.1994