Патент №2008743 - Способ изготовления полупроводникового кристалла

Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на усовершенствование способа в части исключения потери золота, повышения технологичности и универсальности способа, повышения качества кристаллов после разделения подложки, а также повышения надежности металлизации в сквозных отверстиях. Сущность: в способе изготовления полупроводникового кристалла в качестве общего электрического контакта в процессе электрохимического осаждения толстого золота в сквозные отверстия и на металлические площадки на обратной стороне подложки используют предварительно замкнутые между собой электроды на лицевой стороне подложки с выходом на обратную сторону через металлическое дно сквозных отверстий. 2 ил.