Патент №2008744 - Способ химического разделения пластин кремния с глубокозалегающим p - n-переходом на отдельные кристаллы

Использование: способ химического разделения пластин кремния с глубокозалегающим p - n-переходом на отдельные кристаллы, используемый в микроэлектронике. Сущность изобретения: методом фотолитографии формируют рисунок разделительных дорожек с двух сторон кремниевой пластины, причем на одной стороне изготавливают рисунок разделительных дорожек в виде полосы шириной не менее dмакс, где dмакс - ширина дорожки, при которой скорость травления кремния в данном травителе постоянна, а на противоположной стороне в направлении области смыкания фронтов травления рисунок разделительных дорожек устанавливают в виде цепочки окружностей диаметром d, где d

Патент №2008744, изображение 1
Патент №2008744, изображение 2
Патент №2008744, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей