Патент №2008744 - Способ химического разделения пластин кремния с глубокозалегающим p - n-переходом на отдельные кристаллы
Использование: способ химического разделения пластин кремния с глубокозалегающим p - n-переходом на отдельные кристаллы, используемый в микроэлектронике. Сущность изобретения: методом фотолитографии формируют рисунок разделительных дорожек с двух сторон кремниевой пластины, причем на одной стороне изготавливают рисунок разделительных дорожек в виде полосы шириной не менее dмакс, где dмакс - ширина дорожки, при которой скорость травления кремния в данном травителе постоянна, а на противоположной стороне в направлении области смыкания фронтов травления рисунок разделительных дорожек устанавливают в виде цепочки окружностей диаметром d, где dКлассификация патента
Код
Наименование
МПК H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей