Патент №2008745 - Способ получения нитрированного окисного слоя на подложке из полупроводникового материала

Использование: изобретение предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов и в интегральных и дискретных структурах. Сущность изобретения: способ включает формирование окисного слоя на подложке и последующее термическое нитрирование его в азотсодержащей газовой среде в поле электромагнитного излучения, диапазон длин волн которого выбирают из условия ионизации среды. Способ позволяет улучшить электрофизические параметры и радиационную стойкость слоя при толщине свыше A.