Патент №2008748 - Магнитотранзистор

Использование: при создании измерительных приборов и автоматических систем управления. Сущность изобретения: предлагается двухколлекторный планарный магнитотранзистор, сформированный в эпитаксиальном слое первого типа проводимости, выращенном на подложке второго типа проводимости, содержащий два параллельных полосковых базовых электрода первого типа проводимости, между которыми расположены две полосковые коллекторые области второго типа проводимости, направленные перпендикулярно базовым электродам, а между коллекторами размещена эмиттерная область второго типа проводимости. Для повышения магниточувствительности на границе раздела эпитаксиального слоя и подложки под эмиттером и прилегающим к нему базовым электродом сформирован скрытый слой первого типа проводимости. Кроме того, прилегающий к эмиттеру базовый электрод соединен со скрытым слоем через вертикальный сильнолегированный слой первого типа проводимости. 1 з. п ф-лы, 2 ил.

Патент №2008748, изображение 1
Патент №2008748, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 29/00Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них