Патент №2009574 - Способ контроля потенциалов на границах раздела полупроводниковых гетероструктур

Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля энергетической диаграммы многослойных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: при контроле высот барьеров на границах раздела гетероструктур, образец помещают в конденсаторную ячейку, освещают его импульсным светом и постоянной подсветкой определенного спектрального состава, измеряют суммарную фотоЭДС на двух барьерах каждого из гетерослоев и по люксвольтовой характеристике этой фотоЭДС определяют знак и величину барьера. 2 ил. , 1 табл.