Патент №2010221 - Способ определения температуропроводности материалов

Изобретение может быть использовано для массового и экспрессного контроля теплофизических параметров электронно-оптических элементов из алмазов и других материалов твердотельной технологии при их аттестации. Предложен способ определения температуропроводимости материалов, основанный на формировании в образце тепловой дифракционной решетки путем облучения его лазерным импульсом, имеющим пространственно-периодическое распределение плотности энергии в образце, одновременном освещении образца светом зондирующего лазера непрерывного действия и определении по измеренным значениям периода тепловой решетки и времени затухания интенсивности дифрагированного света температуропроводности образца. Для обеспечения возможности определения температуропроводимости образцов малых размеров с присущими им поверхностными дефектами и внутренними неоднородностями измеряют расстояние между центрами дифракционных максимумов + и - первого порядков с помощью термочувствительной пластинки, установленной на место образца, выделяют свет, дифрагированный в оба дифракционных порядка, диафрагмой с двумя отверстиями, расположенными друг от друга на измеренном расстоянии, и регистрируют время затухания результирующего сигнала от выделенных дифракционных максимумов. 2 ил.

Патент №2010221, изображение 1
Патент №2010221, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК G01N 25/00Исследование или анализ материалов с помощью тепловых средств