Патент №2011973 - Способ определения скорости роста полупроводниковых пленок и устройство для его осуществления
Сущность: генератор 9 синхронно с вращением подложкодержателя 4 вырабатывает импульсы, отпирающие пушку 5 быстрых электронов, которая вырабатывает импульсы с периодом, равным периоду вращения подложки. Дифрагированный пучок электронов регистрируется детектором 6. Фильтр 10 выделяет из зарегистрированного детектором 6 дискретного сигнала низкочастотную составляющую, несущую информацию об изменении интенсивности дифрагированного с электронного пучка, по которому судят о скорости роста полупроводниковой пленки. 2 с. п. ф-лы, 3 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК G01N 23/00 | Исследование или анализ материалов радиационными методами, не отнесенными к группе 21/00 или 22/00, например с помощью рентгеновского излучения, нейтронного излучения |
| МПК H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей |