Патент №2023063 - Способ выращивания кристаллов из расплава в автоматическом режиме

Изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием методом Чохрального в автоматическом режиме. Сущность: при реализации способа в расплав вводят пластину параллельно поверхности расплава и осуществляют дополнительную компенсацию локальным изменением температуры под фронтом кристаллизации Tп канал. Температуру под фронтом кристаллизации изменяют путем изменения силы тока, пропускаемого через пластину и/или положения пластины относительно поверхности расплава. Для случая изменения температуры путем изменения силы тока пластина изготовлена из токопроводящего материала и к ней прикреплены контакты для соединения с выходом источника тока. 1 ил.