Патент №2023770 - Способ выращивания полупроводниковых соединений

Использование: в технологии получения соединений A3B5 осаждением из газовой фазы. Сущность изобретения: при выращивании кристаллов в ампулу дополнительно вводят транспортный агент и процесс ведут при температуре источника на 100 - 600°С ниже температуры плавления соединения, температуре затравки на 5 - 100°С ниже температуры источника и давлении легколетучего компонента в диапазоне от равновесного значения при температуре затравки до 1 атм. Получают кристаллы A3B5 диаметром ~ 40 мм и высотой ~ 17 мм, имеющие правильную геометрическую форму и заданную кристаллографическую ориентацию. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.