Патент №2033659 - Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу
Сущность изобретения: способ включает размещение золотой фольги между корпусом и кристаллом и пайку. Поверхность фольги предварительно подвергают химическому травлению в растворе соляной кислоты при температуре 18 - 25°С в течение 3 - 5 мин с последующими промывкой в холодной деионизованной воде при той же температуре в течение не менее 1 мин и сушкой в среде горячего воздуха при температуре 70 - 80°С в течение не менее 5 мин. 1 ил., 1 табл.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей |