Патент №2034364 - Способ изготовления контактов интегральных микросхем на кремнии

Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку, маскированную диэлектриком со вскрытыми в нем контактными окнами к активным областям, наносятся пленка сплава, содержащего 20 - 50 ат.% Со и 80 - 50 ат.% Ti. Нанесение пленки проводят методом ионно-плазменного распыления в смеси инертного газа и N2 при содержании N2 8 - 20 ат. % . Затем проводят отжиг подложки с нанесенной на нее пленкой сплава при температуре 750 - 900°С в течение 20 - 30 мин. 3 ил., 1 табл.