Патент №2035800 - Способ изготовления тонкопленочных транзисторов

Использование: в технологии изготовления изделий электронной техники. Сущность изобретения: для повышения стабильности, надежности и улучшения характеристик тонкопленочных резисторов на основе а-Si:H, предназначенных для использования в качестве коммутирующих элементов в жидкокристаллических матричных экранах, проводят облучение ультрафиолетовым излучением с энергией 3 - 5 эВ и дозой 1018-1019 см-2 вблизи поверхности пленки а-Si:H и создают область, в которой уровень Ферми отстоит от зоны проводимости дальше, чем в области канала. 7 ил.