Патент №2038429 - Способ получения кристаллов
Использование: в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения. Сущность изобретения: способ включает выращивание из раствора, помещение кристалла после полного завершения процесса роста без контакта с атмосферой из ростовой среды в герметизирующую жидкость, химически не взаимодействующую с раствором и имеющую одинаковую с ней температуру, выдержку в этой жидкости и охлаждение. Причем помещение кристалла в жидкость осуществляют путем вытеснения ростового раствора последней. Способ позволяет получить крупные (до нескольких десятков кубических сантиметров) ненапряженные, без трещин органические кристаллы с естественным габитусом и отсутствием травления на гранях.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой |
МПК C30B 7/00 | Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов |