Патент №2040601 - Способ травления монокристаллов танталата лития

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике. Обеспечивается возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а также исключается необходимость употребления дорогостоящих неактивных температуроустойчивых материалов таких, как платина, иридий, позволяющих удешевить процесс и повысить скорость травления. Сущность способа состоит в обработке монокристаллов танталата лития в гидротермальных условиях при 150 300°С и давлении не менее 50 атм, а в качестве травильного раствора используют водные растворы смеси одной из кислот H3PO4, HNO3 и одной из солей MeNO3, MeF, MeHF2, где Ме щелочной металл, или в водных растворах одной из солей MeNO3, MeF или MeHF2, или в водном растворе щелочи MeOH и соли MeNO3.