Патент №2045112 - Полевой вертикальный транзистор
Использование: в полупроводниковых приборах. Сущность изобретения: транзистор содержит монокристаллическую подложку из полупроводника n++ -типа, на которой сформированы омический контакт истока и мезаструктура, состоящая из двух слоев: верхний слой из полупроводника n-типа, нижний из полупроводника n++ -типа. По краям боковых граней верхнего слоя мезаструктуры выполнены симметрично расположенные барьерные контакты, являющиеся затворами транзистора. На верхней грани мезаструктуры сформирован омический контакт стока. 2 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |