Патент №2053586 - Способ изготовления моп-транзисторов с окисной изоляцией

Использование: в микроэлектронике, при изготовлении МОП транзисторов с окисной изоляцией субмикронных размеров. Сущность изобретения: способ изготовления МОП транзисторов с окисной изоляцией включает формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости, покрытой слоем окисла, многослойной структуры, состоящей по меньшей мере из одного слоя поликристаллического кремния и слоя нитрида кремния, выделение активной и изолирующей областей удалением многослойной структуры до слоя поликристаллического кремния на изолирующей области, формирование охранного кольца под изолирующей областью, формирование окисной изоляции путем создания первого слоя диоксида кремния на изолирующей области окислением слоя поликристаллического кремния до заданной толщины, удаление слоев нитрида и поликристаллического кремния на активной области с одновременным стравливанием слоя окисла на активной области и первого слоя диоксида кремния на изолирующей области, затем нанесение второго слоя диоксида кремния на всю поверхность структуры и анизотропное травление его с формированием прокладки на боковой стороне слоя окисла, формирование подзатворного диэлектрика, электрода затвора и областей истока и стока в активной области. 1 з. п. ф-лы, 8 ил.

Патент №2053586, изображение 1
Патент №2053586, изображение 2
Патент №2053586, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей