Патент №2056674 - Мощный биполярный транзистор
Использование: в микроэлектронике, в конструкции биполярных транзисторов. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор содержит коллекторную область, базовую область, эммитерную область гребенчатой конфигурации, окруженную по всему периметру полосковой областью постоянной ширины того же типа проводимости, что и эмиттерная область, причем расстояние между эмиттерной областью и полосковой областью уменьшается по мере удаления от начала к концу эмиттерного зубца, базовый электрод расположен на поверхности базовой области за пределами эмиттера и полосковой области и окружает указанные области. 2 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |