Патент №2058441 - Способ выращивания монокристаллов твердых растворов халькогенидов сурьмы и висмута

Использование: для выращивания полупроводниковых материалов методом Чохральского. Сущность изобретения: монокристалл выращивают на затравку конической формы с диаметром основания, равным диаметру монокристалла. Перед выращиванием затравку опускают в расплав температурой 600oС и выдерживают 20 - 30 мин при наличии радиального градиента температуры 5 - 6oС/мм. Вытягивание ведут со скоростью 15 - 18 мм/ч при осевом градиенте 5,2 - 5,8oС/мм. Скорости вращения затравки и тигля - 15 - 30 об/мин и 5 - 10 об/мин. Отрывают выращенный кристалл за 5 - 10 мин при перегреве расплава на 20 - 30oС и охлаждают со скоростью 4 - 5oС до 300oС, а затем со скоростью 6 - 7oС/мин до комнатной температуры. 1 з. п. ф-лы, 2 табл.

Патент №2058441, изображение 1
Патент №2058441, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК C30B 15/00Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского