Патент №2058604 - Полупроводниковый терморезистор

Изобретение предназначено для прецизионных измерений температуры. Полупроводниковый терморезистор выполнен в виде монокристалического кремниевого резистора с контактами к нему. В в плане резистор имеет форму меандра. Он размещен в канавке, сформированной в подложке из высокоомного поликремния, и изолирован от нее слоем окисла кремния. Для снижения инерционности под всей площадью резистора имеется полость. Высокое сопротивление обеспечивает низкие измерительные токи и снижение уровня собственных шумов, что позволяет использовать изобретение для измерений в диапазоне -100...+600oС с точностью до десятых долей градуса. 1 з. п. ф-лы, 3 ил.