Патент №2059326 - Способ формирования кремниевых эпитаксиальных структур
Использование: в полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: предлагаемый способ создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое, перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают первый дополнительный слой толщиной d1=0,5-5 мкм и удельным сопротивлением 1(1-50)o.c, затем второй дополнительный слой толщиной d2=(0,5-0,9)d диф.ф. и удельным сопротивлением 2=(0,02-2)р.с, где о.с - удельное сопротивление опорного слоя (подложки); d диф.ф. - расчетная или экспериментальная суммарная глубина диффузии фосфора в рабочий слой; р.с. удельное сопротивление рабочего слоя. Первый дополнительный слой формируют в опорном слое ионным легированием и/или диффузией. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей |
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |