Патент №2059327 - Планарный тиристор
Использование: конструкции структур тиристоров. Сущность изобретения: планарный тиристор выполняется на n-p+ -эпитаксиальной структуре, содержит диффузионные локальные области p-базы, n+-эмиттера, делительные p-кольца, n+-противоканальную кольцевую область, металлические области катода, анода, управляющего электрода и металлические области катода, анода, управляющего электрода и металлическое кольцо, охватывающее противоканальную область. Особенностью структуры является наличие группы металлических полевых обкладок, соединенных с делительными кольцами и p-базой, выполнение эмиттерной области в виде разорванного кольца, внутри которого расположен управляющий электрод, соединенный металлизацией с полевой обкладкой, расположенной над p-базой тиристорной структуры. Изобретение позволяет повысить рабочее напряжение тиристора, снизить трудоемкость изготовления кремниевых структур, допускает контроль тиристорных структур до разрезки пластины на кристаллы. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |