Патент №2065640 - Способ подготовки поверхности пластин кремния

Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пластин путем анодной обработки в растворе фтористоводородной кислоты формируют слой пористого кремния толщиной, в 2:5 раз превышающей глубину нарушенного слоя от химико-технического полирования, а последующее химико-динамическое полирование проводят в растворе гидроксида калия или натрия на глубину, в 1,5:2 раза большую толщины слоя пористого кремния. Технический результат - снижение плотности дефектов и примесей в приповерхностных слоях подложек кремния и повышение процента выхода годных. 1 ил., 2 табл.

Патент №2065640, изображение 1
Патент №2065640, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей