Патент №2077618 - Способ уменьшения намагниченности магнитных оксидных материалов
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в микроэлектронике и оптоэлектронике для записи и считывания информации. Целью изобретения является обеспечение возможности перехода пленок EuO и Eu1-x SmxO из ферромагнитного состояния и парамагнитное. Способ включает освещение пленок светом с длиной волны 0,4 - 0,7 мкм при температуре жидкого азота с интенсивностью L(лк), исключающей нагрев пленок и удовлетворяющей условию , где Io - начальный темновой ток (mA); n - коэффициент, равный 1,2 - 1,5, и изменение магнитного состояния фиксируют по изменению энергии активации -E(эВ). Способ обеспечивает наиболее простое размагничивание пленок. 3 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой |
МПК C30B 33/00 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой |
МПК H01F 10/00 | Тонкие магнитные пленки, например с однодоменной структурой |