Патент №2082100 - Способ измерения пространственного распределения физического поля

Использование: в измерительной технике, при измерении пространственного распределения физических полей, которые вызывают изменение обратного тока p-n перехода (полей температуры, механического напряжения, магнитного поля и т.д.). Сущность изобретения: способ основан на измерении распределения локальной плотности обратного тока насыщения j(x) вдоль чувствительного элемента, выполненного в виде протяженной трехслойной полупроводниковой p-n-p+ (или n-p-n+) структуры длиной L. Подключают к концам p (или n)-слоя источник постоянного электрического напряжения E, а между концами p (или n) и p+ (или n+)-слоя источник электрического напряжения U. Изменяя напряжение U в пределах OUE, измеряют зависимость тока I(U) от напряжения U, по которой определяют распределение локальной плотности обратного тока насыщения j(x) вдоль чувствительного элемента. По распределению j(x) и по предварительно найденной экспериментальной или теоретически известной зависимости локальной плотности обратного тока j = F() от величины измеряемого физического поля определяют пространственное распределение физического поля j(x) вдоль чувствительного элемента. 2 с.п. ф-лы, 5 ил.