Патент №2086039 - Способ изготовления кремниевых структур

Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур, заключается в полировке пластин, их гидрофилизации, обработке пластин в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединении пластин отполированными сторонами в упомянутом растворе, сушке соединенных пластин на воздухе при температуре 100 - 130oC в течение времени не менее 4 час. при одновременном приложении давления величиной не менее 310-3 Па, последующем нагреве пластин со скоростью не более 10 град/мин, начиная с температуры 200oC до температуры не менее 1000oC, и выдержке при указанной температуре. Новым в способе является то, что перед гидрофилизацией на полированной поверхности пластин выполняют канавки глубиной не менее 0,3 мкм и расстоянием между границами канавок d, отвечающим следующему соотношению: 20d1000 мкм. 1 табл.