Патент №2105380 - Способ изготовления полупроводниковых пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых пластин, включающем калибрование монокристалла, изготовление основного и вспомогательных срезов, резку монокристалла на пластины, калибрование монокристалла проводят до диаметра, по крайней мере, на 2 мм более диаметра пластин, срезы изготавливаются длиной L, равной L = lD/d, где l - длина среза на пластине; D - диаметр калиброванного монокристалла; d - диаметр пластин, а после резки монокристалла на пластины последние центрируют относительно основного среза и проводят их дополнительное калибрование до заданного диаметра пластин. 1 табл., 2 ил.