Патент №2105384 - Способ получения наноструктур

Использование: технология получения наноструктур на основе соединений A2B6, предназначенных, в частности, для изготовления фоточувствительных наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур на основе соединений A26, включающем внедрение в пористую диэлектрическую подложку частиц нанометрового размера указанного соединения, сначала производят очистку до атомарного уровня внешних и внутренних поверхностей подложки, а затем на ней методом молекулярного наслаивания формируют переходный слой из атомов соединения A2B6 со стехиометрией, обеспечивающей объемно-структурное соответствие кристаллических решеток на границе раздела, после чего на поверхности переходного слоя выращивают слой из соединения A2B6 с объемом вещества в каждой поре не менее объема двух элементарных ячеек в кристаллической решетке соединения, а затем производят пассивацию внешней поверхности подложки.