Патент №2110110 - Установка для имплантации

Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов. Установка для имплантации обеспечивает повышение производительности, чистоты получаемых имплантируемых потоков, повышение площади имплантируемых поверхностей без применения сканирующих устройств и повышение универсальности. Установка характеризуется использованием источника быстрых тяжелых атомов на основе магнитной ловушки с вращающейся плазмой, системы транспортировки потоков быстрых тяжелых атомов веерного типа, представляющей собой выпускной раструб с азимутальным размером 360o, системы размещения облучаемых образцов в области выходящего потока. 2 ил.

Патент №2110110, изображение 1
Патент №2110110, изображение 2

Классификация патента

Код Наименование
МПК C23C 14/00Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
МПК H01J 37/00Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки